BGP电路版图验

硬知❤知知 2019-07-20 11:28
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前篇介绍了Bandgap基本内容,这一篇我们就来看看Bandgap版图验证。   

 

RES SCH

  RES floorplan

 

 RES LAYOUT

电流镜匹配

      电流镜相对差分管而言,匹配要求不需要那么严格在设计版图时,一般是在方便连线(对称等长)的基础上去匹配管子,较常用的匹配方式为AABB一维或者共质信的二维匹配,可参考COMP课的匹配。

PMOS MIRROR

NMOS MIRROR

Bandgap整体Floorplan

               

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Bandgap版图Routing和完成

    

ROUTING方法:

1.分清各个信号类型,敏感信号线要与噪声信号线分开走线(CLK线 差分信号线 电流线 电压线 )。

2.INPUT信号和OUTPUT信号避免交叉。

3.走线尽量走直线,少弯折,如果线太长,可能会导致时间延迟、电路驱动能力不足、天线效应、功能失效等一系列的问题(在Floorplan时候就考虑走线的方向和长度)。

4.根据线路设计需求控制线宽,如果太窄了,可能会导致供给不足和电迁徙效应。

5. 需要匹配敏感的差分和CLK信号等一对线之间的间距要始终保持一致.线等长,加shieling。

6.不同金属线之间转换打孔需两个以上的VIA孔,来减小VIA孔寄生电阻。

 

Bandgap版图验证

● DRC:设计规则检查,看版图的设计是否满足工艺厂生产的标准。

● LVS:电路和版图的对比,看routing和器件是否与电路设计match。

● ERC:电学规则检查,检查你的NMOS衬底电位是否接到地上,PMOS衬底电位是否接到电源上,存在hotwell时候,ERC中将直接能提示错误,如果是和电路设计一直可忽略该错误。

● ANT:天线效应,在芯片生产过程中,暴露的金属线或者多晶硅等导体,就象是一根根天线,会收集电荷(如等离子刻蚀产生的带电粒子)导致电位升高。天线越长,收集的电荷也就越多,电压就越高。若这片导体碰巧只接了MOS 的栅,那么高电压就可能把薄栅氧化层击穿,使电路失效(详细内容→)看!爱收集电荷的天线

解决方法:跳线法,添加反偏二极管,插入缓冲器,器件输入端口加保护二极管如GGNMOS。

 

验证和交付Bandgap版图

DRC clean report

LVS clean report

ANT report

ERC report(存在HOTWELL引起的NWLL未接到VDD上)

 

Summary总结

● 版图Flow

● 差分对匹配方法

● 电流镜匹配方法

● 电阻匹配方法

● BJT匹配方法

● 电压信号线匹配方法

● 电流信号线处理方法

● PV验证

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